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锑化物半导体**阱激光器研究获得重要进展
随着锑化物多元素复杂低维材料分子束外延技术的不断进步,国际上锑化物半导体相关的材料与光电器件技术创新发展十分迅速。上述锑化物半导体激光器研究成果突破了短波红外激光器技术领域长期卡脖子核心技术,将在危险气体检测、环境监测、医疗与激光加工等诸多**产业发挥重要价值。
然而,由于3 μm激光晶体的增益系数与热导率较低,在高功率泵浦条件下会出现严重的热透镜与热退偏效应,同时由于缺乏高透过率、高损伤阈值的声光调Q开关,从而难以获得高重复频率、高峰值功率的调Q激光输出。
基于二氧化硅的纳米球在真空下悬浮在光学镊子中的质心振荡,研究人员演示了一种介观频率可调谐声子激光器。这种声子激光器可用于单电子、液滴、甚至是小型生物**体。
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