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深圳市中杰光电科技有限公司

针对以上问题，研究人员使用在3μm波段具有相对低的泵浦阈值、较高斜率效率的Er：YSGG激光晶体，采用966 nm半导体激光器（LD）作为泵浦源，使得泵浦光发射带与激光晶体铒离子吸收带具有很好的光谱匹配，提高了泵浦效率，降低激光晶体热效应。通过谐振腔优化设计补偿热透镜效应，使用2.79 μm高损伤阈值的非偏振TeO2声光调Q开关，避免了电光调Q热退偏效应带来的损耗。在重复频率100－300Hz条件下，获得2.79μm高重频调Q激光输出，其中较大激光脉冲能量达到1mJ，较高峰值功率达13.2 kW＠76 ns。

巴塔查里亚表示，这一装置具有广泛的应用前景，特别是在光学激光有如此多的应用场景，如在传感和信息处理方面的应用，并且其应用前景仍在不断拓展。

GaSb基InGaAsSb晶格匹配异质结**阱的能带带隙可调范围覆盖了1.8μm～4.0μm的短波红外区域，与该波段的其它激光材料体系相比其在研制电直接驱动下高光电效率的激光器方面具有*特的优势。